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　　【专利摘要】本出现供应一种或许使修设时的制品率提升的振动开发的修设法子。本出现所涉及的振动开发的修设法子征求：将与振动片的应用时的驱动电力比拟而较高的电力施加于振动片，从而使振动片强驱策的工序(S5-1)；正在使振动片强驱策的工序之后，践诺振动片的频率调动的工序(S5-2)。

　　[0009]本运用例所涉及的振动开发的修设法子征求，将与振动片的应用时的驱动电力比拟而较高的电力施加于所述振动片，从而使所述振动片强驱策的工序;正在使所述振动片强驱策的工序之后，践诺所述振动片的频率调动的工序。

　　[0010]正在此种振动开发的修设法子中，因为正在使振动片强驱策之后践诺振动片的频率调动，是以如后文所述，或许正在频率调动工序中使振动片的等效串联电阻的值(Cl值)低落，从而或许使振荡率提升。是以，凭据此种振动开发的修设法子，或许使振动开发的修设时的制品率提尚O

　　[0013]正在此种振动开发的修设法子中，因为征求正在基板上造成所述振动片的振动片造成工序，是以比如或许正在基板上造成有振动片的状况下使振动片强驱策。换言之，正在振动开发的修设法子中，或许正在将振动片收纳正在容器中之前使振动片强驱策。

　　[0026]正在上述运用例所涉及的振动开发的修设法子中，也能够采用如下方法，S卩，征求接合工序，所述接合工序为，正在使所述振动片强驱策的工序之前，经由接合部件而对基座与所述振动片举行接合的工序。

　　[0035]本运用例所涉及的振动开发的修设法子征求:造成振动片的振动片造成工序;经由接合部件而对基座与所述振动片举行接合的振动片接合工序;经由接合部件而对所述基座与半导体装备举行接合的半导体装备接合工序;正在所述半导体装备接合工序之前，将与所述振动片的应用时的驱动电力比拟而较高的电力施加于所述振动片的强驱策工序。

　　[0036]正在此种振动开发的修设法子中，或许提尚振汤器的修设时的制品率。其它，正在此种振荡器的修设法子中，因为或许正在将振动片收纳正在容器中之前使振动片强驱策，是以或许低落附着正在振动片上的异物被带入容器内的恐怕性。

　　[0046]图10为外现驱动电平与Cl值的转化率之间的合连的弧线为外现驱动电平与振荡率之间的合连的弧线为外现通过第二践诺方法所涉及的振子的修设法子而获得的振子，图12(A)为俯视外观图，图12(B)为图12(A)所示的A-Y部的剖视图。

　　[0050]图14为外现第二践诺方法所涉及的振子的振动片造成工序，图14(A)为具有众个振动元件的晶片的外观立体图，图14(B)为图14(A)所示的B部放大俯视图，图14(C)、图14(D)为外现正在振动元件上造成有电极的状况的放大俯视图。

　　[0056]以下，应用附图对本出现的优选的践诺方法举行精确申明。此外，不才文中举行申明的践诺方法并非对权力央浼书所纪录的本出现的实质举行不适应控制的方法。其它，不才文中所申明的构造不必然所有为本出现的必须组成因素。

　　[0059]起首，参照附图并对成为本践诺方法所涉及的振子(振动开发的一个示例)的修设法子的践诺对象的振子举行申明。图1(A)为示意性地外现本践诺方法所涉及的振子5100的剖视图。图1(B)为示意性地外现本践诺方法所涉及的振子5100的俯视图。此外，图1(A)为图1 (B)的A-A线具备振动片5102、封装件5110。以下，对振动片5102以及封装件5110举行精确申明。

　　[0062]图2为示意性地外现振动片5102的立体图。图3为示意性地外现振动片5102的俯视图。图4为示意性地外现振动片5102的图3的IV-1V线的V-V线、驱策电极5020a、5020b。

　　[0065]水晶等的压电原料日常为三方晶系，并具有如图6所示的结晶轴(Χ,Υ,Ζ)』轴为电轴，Y轴呆板轴，Z轴为光轴。水晶基板5101为以沿着使XZ面(包蕴X轴以及Z轴的面)绕X轴盘旋角度Θ的面的方法而从压电原料(比如，人工水晶)切割出的、所谓的盘旋Y切割水晶基板的平板。此外，使Y轴以及Z轴缠绕X轴也盘旋Θ，并阔别设为Y轴以m轴。水晶基板5101为，将包蕴X轴与Z轴的面设为主面并将沿着Y轴的宗旨设为厚度宗旨的基板。正在此，正在设为Θ= 35° 157时，水晶基板5101成为AT切割水晶基板。是以，AT切割水晶基板5101以与矿轴正交的XZ面(包蕴X轴以及Z轴的面)成为主面(振动部的主面)，并或许以厚度切变振动动作主振动而举行振动。通过对该AT切割水晶基板5101举行加工，从而或许获得水晶基板5010。

　　[0066]如图6所示，水晶基板5010由AT切割水晶基板5101构成，正在所述AT切割水晶基板5101中，将由水晶的结晶轴、即动作电轴的X轴、动作呆板轴的Y轴、动作光轴的Z轴构成的正交坐标系的X轴设为盘旋轴，将以使Z轴朝向-Y宗旨且+Z侧举行盘旋的方法而倾斜的轴设为Z7轴，将以使Y轴朝向Z轴的+Z宗旨且+Y侧举行盘旋的方法而倾斜的轴设为矿轴，将包蕴X轴以及Z轴的面设为主面，将沿着Y轴的宗旨设为厚度宗旨。此外，正在图2至图5以及下文所示的图7中，图示了彼此正交的X轴、矿轴以及Z7轴。

　　[0068]正在水晶基板5010中，比如，将矿轴宗旨设为厚度宗旨，而正在从Y轴宗旨举行俯视观看时(以下，也简称为“俯视观看时”)，具有将X轴宗旨设为长边且将Z轴宗旨设为短边的矩形的式样。水晶基板5010具有周边部5012、振动部5014。

　　[0070]正在俯视观看时，振动部5014被周边部5012掩盖，而且与周边部5012比拟而厚度较大。振动部5014具有沿着X轴的边与沿着Z7轴的边。全体而言，正在俯视观看时，振动部5014具有将X轴宗旨设为长边，并将Z7轴宗旨设为短边的矩形的式样。振动部5014具有第一部门5015、第二部门 5016。

　　[0072]振动部5014的第二部门5016与第一部门5015比拟而厚度较小。正在图示的示例中，第二部门5016为具有厚度t2的部门。第二部门5016被设立正在第一部门5015的+X轴宗旨以及-X轴宗旨上。即，第一部门5015正在X轴宗旨上被第二部门5016包夹。如上所述，振动部5014具有厚度分别的两种部门5015、5016，振动片5102具有二阶型的台面构造。

　　[0073]振动部5014或许以厚度切变振动动作主振动而举行振动。因为振动部5014为二阶型的台面构造，是以振动片5102或许具有将能量紧闭的效率。此外，“厚度切变振动”是指，水晶基板的位移宗旨与水晶基板的主面平行(正在图示的示例中，水晶基板的位移宗旨为X轴宗旨)、且波的宣扬宗旨为板的厚度宗旨的振动。

　　[0074]振动部5014具有，与周边部5012比拟而向+Yl由宗旨特出的第一凸部5017、与周边部5012比拟而向-Y轴宗旨特出的第二凸部5018。比如，凸部5017、5018的式样一致，凸部5017、5018的巨细一致。凸部5017、5018被组成为，征求第一部门5015以录取二部门5016。

　　[0075]如图5所示，正在第一凸部5017的+X轴宗旨的侧面5017a和-X轴宗旨的侧面5017b，以录取二凸部5018的+X轴宗旨的侧面5018a和-X轴宗旨的侧面5018b上，比如设立有由第一部门5015的厚度与第二部门5016的厚度的差和第二部门5016的厚度与周边部5012的厚度的差而造成的两个坎坷差。

　　[0076]如图4所示，第一凸部5017的+Z7轴宗旨的侧面5017c比如为相对待包蕴X轴以及Z7轴的面而笔直的面。第一凸部5017的-Z7轴宗旨的侧面5017d比如为相对待包蕴X轴以及Z7轴的面而倾斜的面。

　　[0077]如图4所示，第二凸部5018的+Z7轴宗旨的侧面5018c比如为相对待包蕴X轴以及Z7轴的面而倾斜的面。第二凸部5018的-Z7轴宗旨的侧面5018d为相对待包蕴X轴以及Z7轴的面而笔直的面。

　　[0078]第一凸部5017的侧面5017d以录取二凸部5018的侧面5018c比如正在将含有氟酸的溶液动作蚀刻液而对AT切割水晶基板举行蚀刻加工的情状下，通过使水晶结晶的m面映现，从而成为相对待包蕴X轴以及Z7轴的面而倾斜的面。此外，固然未图示，可是对待水晶基板5010的侧面5017d、5018c以外的-Z7宗旨的侧面，也能够通过使水晶结晶的m面映现，从而成为相对待包蕴X轴以及Y轴的面而倾斜的面。

　　[0079]其它，如图7所示，侧面5017d、5018c也可认为相对待包蕴X轴以及Z轴的面而笔直的面。比如，或许通过运用激光而对AT切割水晶基板举行加工或运用干蚀刻而对AT切割水晶基板举行蚀刻加工，从而将侧面5017d以及侧面5018c设为相对待包蕴X轴以及Z轴的面而笔直的面。此外，为了便于申明，正在图2中图示了侧面5017d、5018c为相对待包蕴X轴以及Y轴的面而笔直的面的情状。

　　[0080]第一驱策电极5020a以录取二驱策电极5020b以俯视观看时与振动部5014重合的方法而设立。正在图示的示例中，驱策电极5020a、5020b还被设立正在周边部5012上。驱策电极5020a、5020b的平面式样(从Y轴宗旨观看的式样)比如为矩形。正在俯视观看时，振动部5014被设立正在驱策电极5020a、5020b的外边际的内侧。即，正在俯视观看时，驱策电极5020a、5020b的面积与振动部5014的面积比拟而较大。驱策电极5020a、5020b为用于向振动部5014施加电压的电极。

　　[0081 ] 第一驱策电极5020a经由第一引出电极5022a而与第一电极衬垫5024a衔接。第二驱策电极5020b经由第二引出电极5022b而与第二电极衬垫5024b衔接。电极衬垫5024a、5024b被设立正在周边部5012的+X轴宗旨侧。动作驱策电极5020a、5020b、引出电极5022a、5022b以及电极衬垫5024a、5024b，比如应用从水晶基板5010侧将铬、金循序举行层压而成的元件。

　　[0082]此外，固然正在上文中对俯视观看时驱策电极5020a、5020b的面积大于振动部5014的面积的示例举行了申明，可是正在俯视观看时驱策电极5020a、5020b的面积也能够小于振动部5014的面积。正在该情状下，驱策电极5020a、5020b被设立正在俯视观看时振动部5014的外边际的内侧。

　　[0083]其它，固然正在上文中对振动部5014为具有厚度分别的两种部门5015、5016的二阶型的台面构造举行了申明，可是振动片5102的台面构造的阶梯数并没有独特地控制。比如振动片5102也可认为，振动部具有厚度分别的三种部门的三阶型的台面构造，还可认为振动部不具有厚度分别的部门的一阶型的台面构造。其它，振动片5102并不控制于台面型，比如水晶基板5010也可认为匀称的厚度，还可认为斜面构造或凸面构造。

　　[0084]其它，固然正在上文中，对正在第一凸部5017的侧面5017c、5017d以录取二凸部5018的侧面5018c、5018d上未设立由第一部门5015的厚度与第二部门5016的厚度的差而造成的坎坷差的示例举行了申明，可是正在振动片5102中，也能够正在侧面5017c，5017d、5018c、5018d上设立坎坷差。

　　[0085]其它，固然正在上文中，对具有与周边部5012比拟而朝向+Y7轴宗旨特出的第一凸部5017和与周边部5012比拟而朝向-Y轴宗旨特出的第二凸部5018的示例举行了申明，可是振动片5102也能够仅具有任性一方的凸部。

　　[0087]如图1(A)以及图1 (B)所示，封装件5110具有箱状的基座5112和板状的盖体5114，所述基座5112具有被修设正在对朝向上外观盛开的凹部5111以及凹部5111的启齿举行掩盖的基座5112的上端面上的密封环5113，所述盖体5114以对凹部5111的启齿举行阻塞的方法而与基座5112接合。此外，正在图1 (B)中，为了便于申明，省略了盖体5114以及密封环5113的图示。

　　[0090]基座5112的材质比如为氧化铝等的百般陶瓷。盖体5114的材质比如为与基座5112的材质和线膨胀系数近似的材质。全体而言，正在基座5112的材质为陶瓷的情状下，盖体5114的材质为科瓦铁镍钴合金等的合金。

　　[0091]正在封装件5110的凹部5111的底面上设立有第持续接端子5130以录取二衔接端子5132。第持续接端子5130以与振动片5102的第一电极衬垫5024a对置的方法而设立。第二衔接端子5132以与振动片5102的第二电极衬垫5024b对置的方法而设立。衔接端子5130、5132经由导电性固定部件5134而阔别与电极衬垫5024a、5024b电衔接。

　　[0092]正在封装件5110的底面上设立有第一外部端子5140以录取二外部端子5142。第一外部端子5140比如被设立正在俯视观看时与第持续接端子5130重合的身分处。第二外部端子5142比如被设立正在俯视观看时与第二衔接端子5132重合的身分处。第一外部端子5140经由未图示的贯穿孔而与第持续接端子5130电衔接。第二外部端子5142经由未图示的贯穿孔而与第二衔接端子5132电衔接。

　　[0093]动作衔接端子5130、5132以及外部端子5140、5142，比如，应用正在Cr(铬)、W(钨)等的金属喷镀层(基底层)上层压了Ni(镍)、Au(金)、Ag(银)、Cu(铜)等的各个被膜的金属被膜。动作导电性固定部件5134比如，可应用焊锡、银浆料、导电性粘合剂(使金属粒子等的导电性填料分袂正在树脂原料中的粘合剂)等。

　　[0095]接下来，对本践诺方法所涉及的振子的频率调动法子以及振子的修设法子举行申明。图8为外现本践诺方法所涉及的振子的修设法子的一个示例的流程图。图9为示意性地外现本践诺方法所涉及的振子的修设工序的剖视图。

　　[0096]本践诺方法所涉及的振子的修设法子征求本践诺方法所涉及的振子的频率调动法子。正在图8所示的本践诺方法所涉及的振子的修设法子中，动作本践诺方法所涉及的振子的频率调动法子而征求强驱策工序S5-1和频率调动工序S5-2。

　　[0101]比如，将搭载了振动片5102的基座5112导入退火炉(未图示)内，并通过200°C至300 °C支配的峰值加热温度而对导电性粘合剂5134a践诺退火。正在第一退火工序S2中，比如，践诺包蕴2小时的峰值加热温度的加热正在内的4小时的退火。正在第一退火工序S2中，通过使导电性粘合剂5134a固化，从而或许造成导电性固定部件5134。

　　[0102]正在此，正在第一退火工序S2中，也能够正在真空情况下践诺退火。通过正在真空情况下践诺退火，从而或许使驱策电极5020a、5020b的氧化水准低落。由此，或许对老化特色的恶化举行箝制。这种情状正在后文论述的第二退火工序S4以录取三退火工序S6中也一致。

　　[0105]比如，将搭载了振动片5102的基座5112导入退火炉内，并对振动片5102以及导电性固定部件5134践诺加热打点。第二退火工序S4比如正在与第一退火工序S2一致的温度前提、一致的功夫前提下践诺。正在第二退火工序S4中，或许践诺正在第一退火工序S2中无法弥漫去除的导电性固定部件5134中的外部气体因素的排出和附着正在振动片5102上的外部气体因素的去除，而且或许使第一退火工序S2中无法十足排除的振动片5102的应力畸变低落。

　　[0107]全体而言，如图9所示，通过正在基座5112上装置了振动片5102的状况下，应用合成器或强驱策用的振荡电道等，并向驱策电极5020a、5020b施加与振动片5102的应用时(践诺平淡的手脚时的驱动电力)比拟而较高的电力，从而使振动片5102强驱策(太甚驱动)。振动片5102的应用时的驱动电力比如为0.0lmW支配。正在强驱策工序S5-1中，向振动片5102施加2.5mW以上且10mW以下的电力。更优选为，正在强驱策工序S5-1中，向振动片5102施加1mW以上且I OOmW以下的电力。施加功夫比如为I秒以上且30秒以下。通过以此方法使振动片5102强驱策，从而或许使振动片5102的等效串联电阻、即所谓的Cl(晶体阻抗)值低落，进而正在频率调动工序S5-2中或许使振荡率提升(参照后文所述的“3.实行例”)。

　　[0108]正在此，驱动电平是指，用于使振动片5102振荡的电力，而且以P= I2 XRe的方法外现。此外，I为流经振动片的电流(有用值)，Re为振动片的等效串联电阻。流经振动片的电流I或许通过正在振荡电道上运用示波器博得流经振动片的电流波形等而揣测出。

　　[0110]比如，固然未图示，可是通过使测定装备的探测器和与驱策电极5020a、5020b电衔接的外部端子5140、5142、监控电极(未图示)等抵接，从而使振动片5102驱策，并对所输出的频率举行测定。此时的驱动电平为振动片的平淡应用时的驱动电平。而且，正在被测定出的实践频率与所需的频率之间存正在频率差的情状下，通过映照离子激光等来对驱策电极5020a、5020b的一部门举行蚀刻(离子蚀刻)以使质料裁减，从而践诺频率调动。此外，也能够通过对驱策电极5020a、5020b践诺成膜以使质料増加，从而践诺频率调动。

　　[0112]比如，将搭载了振动片5102的基座5112导入退火炉内，并对振动片5102以及导电性固定部件5134践诺加热打点。正在第三退火工序S6中，比如践诺包蕴45分钟的200°C至300°C支配的峰值加热温度的加热正在内的退火。

　　[0113]通过第三退火工序S6，从而或许践诺正在第一退火工序S2以录取二退火工序S4中无法弥漫去除的导电性固定部件5134中的外部气体因素的排出和附着正在振动片5102上的外部气体因素的去除，而且或许使第一退火工序S2以录取二退火工序S4中无法十足排除的振动片5102的应力畸变低落。而且，或许使频率调动工序S5-2中新施加的振动片5102的应力畸变低落。

　　[0115]接下来，如图1(A)所示，对盖体5114与基座5112举行接合，从而对基座5112的凹部5111举行密封(密封工序S7)。由此，或许将振动片5102收纳正在封装件5110的收纳空间(凹部5111)内。基座5112与盖体5114的接合通过将盖体5114装载于密封环5113上且比如应用电阻焊机而将密封环5113焊接正在基座5112上而践诺。此外，基座5112与盖体5114的接统一没有独特控制，也能够应用粘合剂来践诺，还能够通过缝焊而践诺。

　　[0117]比如，固然未图示，但通过使测定装备的探测器抵接于与驱策电极5020a、5020b电衔接的外部端子5140、5142或监控电极(未图示)等，从而对振子5100的特色(DLD(DriveLevel Dependence:驱动电平合系性)特色等)举行测定。

　　[0120]正在本践诺方法所涉及的振子5100的频率调动法子中，征求向振动片5102施加与振动片5102的应用时的驱动电力比拟而较高的电力，而使振动片5102强驱策的工序S5-1，和正在使振动片5102强驱策的工序S5-1之后践诺振动片5102的频率调动的工序S5-2。是以，或许使振动片5102的Cl值低落，进而或许正在频率调动工序S5-2中使振荡率提升(参照后文论述的“3.实行例”)。是以，或许使振子5100的修设时的制品率提尚。

　　[0121]正在本践诺方法所涉及的振子5100的频率调动法子中，正在使振动片5102强驱策的工序S5-1中，向振动片5102施加2.5mW以上且10mW以下的电力。由此，或许使振动片5102的Cl值低落，进而或许使振荡率提升(参照后文论述的“3.实行例”)。

　　[0122]正在本践诺方法所涉及的振子5100的频率调动法子中，正在使振动片5102强驱策的工序S5-1中，向振动片5102施加1mW以上且10mW以下的电力。由此，或许使振动片5102的Cl值进一步低落，进而或许使振荡率进一步提升(参照后文所述的“3.实行例”)。

　　[0128]全体而言，正在上述的振子5100的修设法子中，对强驱策工序S5-1的太甚驱动时的驱动电平DL为DL = 0.1mW的情状、DL = 0.5mW的情状、DL = 2.5mW的情状、DL = 1mW的情状、L= 10mW的情状下各自的太甚驱动前后的Cl值举行了测定。此外，振子设为AT切割型的振子，振荡频率设为16MHz。

　　0.1mW的情状动作示例来举行申明。起首，正在上述的振子5100的修设法子中，对强驱策工序S5-1之前向振动片施加平淡应用时的驱动电平DL = 0.0lmW并践诺Cl值的测定。接下来，正在强驱策工序S5-1中，以仅施加I秒以上且30秒以下的驱动电平DL = 0.1mW的电力的方法而举行强驱策(太甚驱动)。接下来，再次向振动片施加平淡应用时的驱动电平DL = 0.0lmW并践诺Cl值的测定。以此方法，对DL = 0.1mW的情状下的太甚驱动前后的Cl值的转化率举行计笪并ο

　　[0132]图10为外现太甚驱动时的驱动电平DL与相对待太甚驱动前的Cl值(CIl)的太甚驱动后的Cl值(CI2)的转化率((CI2-CI1)/CI1)之间的合连的弧线所示，正在以施加驱动电平DL = 2.5mW以上的方法而践诺了太甚驱动之后的振动片的Cl值与践诺太甚驱动之前的Cl值比拟而大幅裁减。全体而言，正在以施加DL = 2.5mW的方法而践诺太甚驱动之后，Cl值裁减了40%。其它，正在以施加DL= 1mW的方法而践诺太甚驱动之后，Cl值裁减了45 %。而且，正在以施加DL = 10mW的方法而践诺太甚驱动之后，Cl值裁减了 50 %。由此可知，通过以施加驱动电平DL = 2.5mW以上的较高的驱动电平的方法而践诺太甚驱动，从而使振动片向易于振荡的状况转化。

　　[0136]全体而言，与上述的第一实行例一致，阔别对强驱策工序S5-1中的太甚驱动时的驱动电平为DL = 0.1mW的情状、DL = 0.5mW的情状、DL = 2.5mW的情状、DL = 1mW的情状、DL =10mW的情状下各自的振荡率举行测定。此外，振子设为AT切割型的振子，振荡频率设为16MHz ο

　　[0137]此外，振荡率外现平常振荡的振动片相对待所有测定命的比例。其它，平常振荡的振动片是指，DL = 0.0lmW的Cl值满意振荡电道的负阻特色的振动片。正在此，对1000个的振动片正在每个驱动电平DL的前提下是否平常振荡举行探究。

　　[0138]图11为外现太甚驱动时的驱动电平DL与太甚驱动后的振荡率之间的合连的弧线所示，正在驱动电平DL= 0.0lmW的情状下、即未践诺太甚驱动的情状下，振荡率为93%支配，正在以驱动电平DL = 2.5mW以上的方法而践诺太甚驱动的情状下，振荡率成为100%。

　　[0140]此外，正在对振动片施加了驱动电平DL=10mW的太甚驱动中，如上所述，获得了Cl值裁减50%且振荡率成为100%的弥漫的效率。是以，为了达成低电力化，优选为，太甚驱动以10mW以下的驱动电平的方法而践诺。

　　[0141]此外，上述的振子的修设法子通过征求正在振动片搭载工序SI之前造成振动片5102的振动片造成工序、和正在密封工序S7之前使后文论述的半导体装备700正在与振动片5102互不作梗的身分处经由后文论述的接合部件510而与基座5112衔接的接合工序，从而造成了振荡器的修设法子。

　　[0142]由此，上述振荡器的修设法子征求造成振动片5102的振动片造成工序、经由接合部件(导电性粘合剂5134a)而对基座5112与振动片5102举行接合的接合工序(振动片搭载工序SI)、向振动片5102施加与振动片5102的应用时的驱动电力比拟而较高的电力的强驱策工序(强驱策工序S5-1)、经由接合部件510而对半导体装备700与基座5112举行衔接的接合工序。

　　[0145]图12为外现通过第二践诺方法所涉及的振子(振动开发的一个示例)的修设法子而获得的振子的概要构造，图12(A)为省略了盖体的外观俯视图，图12(B)为图12(A)所示的A-A7部的剖视图。

　　[0146]如图12(B)所示，图12所示的振子1000具备振动片100、具有可收纳振动片100的凹部空间200a的封装件(相当于第一践诺方法的基座)200、盖体300、以对封装件200与盖体300举行接合的方法而对凹部空间200a举行密封的密封部件400。

　　21、被造成正在压电元件10的第二主面1b上的第二电极22。压电元件10要是为水晶、陶瓷、PZT等的具备压电性的原料则并没有独特控制，而正在本践诺方法中应用水晶来举行申明。以下，将压电元件10称为水晶元件10。

　　[0148]如图12(A)所示，第一电极21具备:驱策电极21a，其正在第一主面1a上且具备本践诺方法中的大致矩形的平面式样;衔接电极21b，其被造成正在成为第一主面1a的后头的第二主面1b上;延迟部21c，其将驱策电极21a与衔接电极21b接正在沿道。其它，第二电极22具备:驱策电极22a，其正在第二主面1b上且以正在俯视观看时与被造成正在第一主面1a上的驱策电极21a重合的方法而具备本践诺方法中的大致矩式样的平面式样;衔接电极22b;延迟部22c，其对驱策电极22a与衔接电极22b举行衔接。

　　[0149]封装件200由具备绝缘性的比如陶瓷、树脂、玻璃等而造成。正在封装件200的凹部空间200a的底部200b上造成有衔接电极610，而且通过被造成正在未图示的封装件200的内部的配线的外部底面200c 上必赢官网。

　　[0150]振动片100正在封装件200的凹部空间200a内，以使衔接电极21b、22b与衔接电极610对置的方法而修设，并通过具有导电性的接合部件500而被衔接、修设。而且，正在封装件200的凹部空间200a的启齿部侧的具有框式样的平面式样的上端面200d上，经由密封部件400而固定接合有盖体300，从而对凹部空间200a举行气密性密封。此外，优选为，对凹部空间200a比如以真空密封或者填充惰性气体的方法而举行气密性密封。

　　[0152]图13为外现上述的振子1000的修设法子的流程图。图13(A)为外现第二践诺方法所涉及的振子的修设法子，图13(B)为外现图13(A)所示的强制驱策工序(S20)的精确实质，图13(C)为外现图13(A)所示的收纳工序(S40)的精确实质的流程图。

　　[0156]如动作图14(A)所示的B部的放大图的图14(B)所示，比如通过运用光刻法而践诺的图案造成与蚀刻而正在晶片2000上造成众个贯穿部2010a，而且通过造成贯穿部2010a而造成了众个水晶元件部2010b和动作与晶片2000衔接的衔接部的折取部2010c，从而获得振动元件晶片2010。

　　[0157]推广通过如下方法而获得具有众个第一振动片部2110的第一振动片晶片2020的振动片造成工序(SlO)，即，正在所获得的振动元件晶片2010的外观上通过蒸镀或阴极真空喷镀而造成导电性的金属膜，并通过运用光刻法而践诺的图案造成与蚀刻，从而如图14(C)所示正在被造成于振动元件晶片2010上的水晶元件部2010b的一个外观上造成第一电极21，而且如图14(D)所示正在水晶元件部2010b的另一外观上造成第二电极22和第一电极21的衔接电极21b。

　　[0159]如图14(C)、图14(D)所示，通过振动片造成工序(SlO)而获得的具备众个造成有第一电极21和第二电极22的第一振动片部2110的第一振动片晶片2020被迁徙至强驱策工序(S20)。如图13(B)所示，强驱策工序(S20)征求电力施加工序(S21)、搜检工序(S22)、不足格品去除工序(S23)。

　　[0161]起首，践诺电力施加工序(S21)，电力施加工序(S21)使衔接端子3200a、3200b与各自的衔接电极21b、22b接触，并通过强驱策独揽部3100而向第一电极21和第二电极22施加预订的大电力。而且，通过向驱策电极21a，22a被需要的大电力而激起第一振动片部2110举行较大的振幅的振动，从而将附着正在第一电极21以录取二电极22上的异物的起码一部门振洛。其它，或许使水晶兀件10与电极21、22的紧贴性提尚。

　　[0162]正在以预订的功夫向第一振动片部2110施加了大电力之后，使衔接端子3200a、3200b与衔接电极21b、22b散开而终结针对待第一振动片部2110的电力施加工序(S21)，从而造成第二振动片部2120。然后，使衔接端子3200a、3200b向下一个第一振动片部2110挪动，并推广电力施加工序(S21)，并按依序对第一振动片晶片2020所具备的所有第一振动片部2110推广电力施加工序(S21)，从而获得具备众个第二振动片部2120的第二振动片晶片2021。然后，迁徙至搜检工序(S22)。

　　[0164]因为正在电力施加工序(S21)中施加了赶过第二振动片部2120的预订手脚电力的电力，而预测到一部门的第二振动片部2120会发生损坏，是以搜检工序(S22)对是否或许获得预订的手脚举行搜检。固然未图示，但正在搜检工序(S22)中，使与搜检装备连正在沿道的搜检端子与衔接电极21b、22b接触并施加预订的电力而使其驱策，而且凭据所获得的振荡信号而对所需的品格比如频率、等效串联电阻值等举行检测并判定杰出与否。

　　[0166]通过搜检工序(S22)而对各自的第二振动片部2120杰出与否举行判定的第二振动片晶片2021被迁徙至不足格品去除工序(S23)。如图15(B)所示，正在不足格品去除工序(S23)中，被判定为不足格的不足格振动片部2120F通过从折取部2010c上被折取下来，从而从第二振动片晶片2021上被去除。当不足格振动片部2120F正在上述的搜检工序(S22)中被判定为不足格时，第二振动片晶片2021内的不足格振动片部2120F的振动片晶片2020内的身分消息将被存储正在未图示的搜检装备中，并通过未图示的按压单位而被附加图示的箭头宗旨按压F。被附加了按压F的不足格振动片部2120F会正在强度最弱的折取部2010c处断裂，从而使不足格振动片部2120F从第二振动片晶片2021上脱节并去除。此外，正在不足格品去除工序中，也能够替代从第二振动片晶片2021上去除不足格振动片部2120F，而应用油墨或激光等正在不足格振动片部2120F的外观上附加或许运用图像识别法子而举行识其余标识。

　　[0167]以上，推广了征求电力施加工序(S21)、搜检工序(S22)、不足格品去除工序(S23)正在内的强驱策工序(S20)，从而获得造成了众个及格品的第二振动片部2120的第二振动片晶片2022，进而迁徙至接下来的单片化工序(S30)。

　　[0169]与上述的不足格品去除工序(S23)一致，单片化工序(S30)为从具有及格品的第二振动片部2120的第二振动片晶片2022向各自的第二振动片部2120附加按压F而使折取部2010c断裂，从而取出振动片100的单片的工序。正在单片化工序(S30)中被单片化的振动片100被迁徙至收纳工序(S40)。此外，正在不足格品去除工序(S23)中应用油墨或激光等而正在不足格振动片部2120F的外观上附加或许运用图像识别法子而举行识其余标识的情状下，正在单片化工序中只需设为践诺图像识别而不取出不足格振动片部2120F的方法即可。

　　[0171]收纳工序(S40)为通过所谓的封装而获得振子1000(图12参照)的工序。收纳工序(S40)为征求装置工序(S41)、频率调动工序(S42)、密封工序(S43)的工序。图16为外现收纳工序(S40)的修设工序，其相当于图12(A)所示的A-A部的部门的剖视图，且对待与图12所示的振子1000一致的构造因素标注一致符号并省略了申明。

　　[0173]正在收纳工序(S40)中，起首推广装置工序(S41)。如图16(A)所示，正在装置工序(S41)中，正在封装件200的凹部空间200a的底部200b上所造成的衔接电极610上修设具有导电性的接合部件500。然后，将振动片100上所造成的衔接电极21b、22b部以与衔接电极610对置的方法而装载于衔接电极610上的接合部件500上，并使振动片100修设正在凹部空间200a内。然后，使接合部件500固化而使衔接电极610与振动片100的衔接电极21b、22b电衔接，而且通过将振动片100固定正在封装件200内而终结装置工序(S41)。此外，接合部件500并未独特控制于比如导电性粘合剂、焊锡、金属凸点等，可是优选为应用制品率较高的导电性粘合剂。

　　[0175]当通过装置工序(S41)而使振动片100被搭载正在封装件200的凹部空间200a内时，迁徙至频率调动工序(S42)。如图16 (B)所示，频率调动工序(S42)通过未图示的激光映照装备从封装件200的凹部空间200a的启齿侧朝向第一电极21的驱策电极21a映照激光L直至成为所需的振动频率为止，并通过激光L而对驱策电极21a的一部门的电极金属举行蒸腾、去除。此外，除了上述的法子除外，频率调动工序(S42)也能够通过向驱策电极21a映照离子或脉冲等而被践诺，还能够通过正在驱策电极21a上运用蒸镀、溅射等的法子而向驱策电极21a附加Au、Ag、Al等而被践诺。

　　[0177]搭载有通过频率调动工序(S42)而被调动为所需的频率的振动片100的封装件200被迁徙至密封工序(S43)。如图16(C)所示，正在密封工序(S43)中，起首正在封装件200的凹部空间200a的启齿部侧的具有框式样的平面式样的上端面200d上装载密封部件400，而且正在密封部件400上装载盖体300。此外，密封部件400优选为应用与封装件200的热膨胀系数逼近的原料，比如科瓦铁镍钴合金。其它，盖体300也优选为应用与封装件200以及密封部件400的热膨胀系数逼近的原料，比如科瓦铁镍钴合金等。此外，封装件200也能够应用正在上端面200d上预先装载有密封部件400的装备。

　　[0178]而且，正在被保护为真空情况或者惰性气体情况的未图示的打点室(腔室)内，通过缝焊等的接合法子而使盖体300与封装件200举行气密性接合，从而终结密封工序(S43)并终结收纳工序(S40)，由此而获得振子1000。然后，迁徙至搜检工序(S50)。

　　[0180]正在搜检工序(S50)中，基于动作制品的振子1000的预订样式而践诺搜检。固然未图示，但搜检工序(S50)通过使搜检装备所具备的端子与外部衔接电极620a、620b接触而践诺的预订的性能品格搜检，而且践诺通过肉眼或者显微镜而举行的外观搜检等，从而践诺杰出与否的判定。

　　[0181]固然正在现有的振子中已知有为了提升驱策电极与元件片的紧贴性而践诺强驱策即所谓的太甚驱动，可是正在平淡情状下正在封装件内振动片的密封之后践诺强驱策。可是，正在该现有的法子中，因强驱策而附着正在振动片上的异物会被振落正在密封的封装件内部空间内，从而残留正在封装件内部空间内的异物频频从振动片上附着以及脱节而成为使振动片的振动特色转变的紧要原由。

　　[0182]可是，正在第二践诺方法所涉及的振子1000的修设法子中，通过正在振动片晶片2020的状况下践诺强驱策工序(S20)而使附着正在振动片100上的异物的起码一部门被振落，从而使附着正在振动片100的异物带入封装件200内的恐怕性低落。是以，或许获得具备安靖的振动特色的振子1000。此外，要是以与第一践诺方法的强驱策工序(S5-1)一致的前提践诺第二践诺方法的强驱策工序(S20)，则或许获得与第一践诺方法一致的效率。

　　[0184]图17为外现通过第三践诺方法所涉及的振荡器(振动开发的一个示例)的修设法子而获得的振荡器的概要构造，图17(A)为省略了盖体的外观俯视图，图17(B)为图17(A)所示的C-C部的剖视图。图17所示的振荡器1100为征求第二践诺方法所涉及的振子1000所具备的振动片100和包蕴振动片100的振荡电道的半导体装备的装备，而且对待与第二践诺方法所涉及的振子1000及其修设法子一致的构造因素标注一致符号并省略了申明。

　　[0185]如图17(B)所示，图17所示的振荡器1100具备振动片100、半导体装备700(以下，称为IC700)、封装件(基座)210、盖体300、以将封装件210与盖体300举行接合的方法而对凹部空间210a、210b举行密封的密封部件400，此中，所述封装件(基座)210具有可对IC700举行收纳的第一凹部空间210a和可对与第一凹部空间210a相连的振动片100举行收纳第二凹部空间210b。

　　[0186]IC700具备外部电极700b，所述外部电极700b被造成正在IC700的一个外观700a上而且与被造成正在未图示的IC700的内部的电道电衔接。而且，以使IC700的外部电极700b与封装件210的第一凹部空间210a的底部210d上所造成的IC衔接电极612对置的方法而修设，并通过具有导电性的接合部件510而接合，从而将IC700收纳正在封装件210的第一凹部空间210a 内。

　　[0187]振动片100以衔接电极21b、22b与正在成为封装件210的第二凹部空间210b的底部的坎坷差部210c上造成的衔接电极611对置的方法而修设，并通过具有导电性的接合部件500而被固定、修设。而且，通过被造成正在封装件210的内部的未图示的曲折配线电衔接。而且，IC衔接电极612通过被造成正在封装件210的内部的未图示的引出配线b电衔接。

　　[0188]接下来，对振荡器1100的修设法子举行申明。本践诺方法所涉及的振荡器1100的修设法子具备与第二践诺方法所涉及的振子1000的修设法子即图13所示的流程图一致的工序。可是，与图13(C)所示的收纳工序(S40)所征求的装置工序(S41)的构造分别，图18为外现该装置工序(S41)所征求的工序的流程图。此外，如上所述，正在第三践诺方法所涉及的振荡器1100的修设法子中，对待与第二践诺方法所涉及的振子1000的修设法子一致的工序省略了申明。

　　[0190]通过本践诺方法所涉及的修设法子而获得的振荡器1100具备通过第二践诺方法所涉及的修设法子而获得的振子1000所具备的振动片100。是以，与图13(a)所示的振动片造成工序(SlO)起至单片化工序(S30)的工序一致。由此，省略了申明。

　　[0192]收纳工序(S40)为通过所谓的封装操作而获得振荡器1100(图17参照)的工序。收纳工序(S40)为征求装置工序(接合工序)(S41)、频率调动工序(S42)、密封工序(S43)的工序。而且，装置工序(S41)为征求IC装置工序(S411)、振动片装置工序(S412)的工序。图19为相当于图17(A)所示的C-C部的部门的剖视图，图17(A)为外现收纳工序(S40)所包蕴的装置工序(S41)的修设工序，对待与图17所示的振荡器1100一致的构造因素标注一致符号并省略了申明。

　　[0194]正在装置工序(S41)中，起首推广IC装置工序(S411)。如图19(A)所示，IC装置工序(S411)为，正在封装件210的第一凹部空间210a的底部210d上所造成的IC衔接电极612上修设具有导电性的接合部件510，并以使预先企图的IC700的外部电极700b与IC衔接电极612对置的方法而装载正在接合部件510上。然后，使接合部件510固化而使IC衔接电极612与IC700的外部电极700b电衔接，而且通过将IC700固定正在封装件210上从而终结IC装置工序(S411)。此外，正在IC装置工序(S411)中，也能够通过将接合部件510修设正在IC700的外部电极700b上并将接合部件510与IC衔接电极612举行接合而使IC衔接电极612与外部电极700b电衔接。其它，除了上述的法子除外，也能够正在以未造成有外部电极700b的外观与封装件210的第一凹部空间210a的底部210d对置的方法而对IC700举行修设之后，通过接合引线](振动片装置工序)

　　[0196]正在IC装置工序(S411)之后，迁徙至振动片装置工序(S412)。如图19(B)所示，正在振动片装置工序(S412)中，起首正在成为封装件210的第二凹部空间210b的底部的坎坷差部210c上所造成的衔接电极611上修设具有导电性的接合部件500。接下来，使振动片100所具备的衔接电极21b、22b与衔接电极611对置而将振动片100收纳正在第二凹部空间210b内，并以正在接合部件500上与衔接电极21b、22b接触的方法而将振动片100装载于坎坷差部210c上。然后，使接合部件500固化而使衔接电极611与振动片100的衔接电极21b、22b电衔接，而且通过将振动片100固定正在封装件210上而终结振动片装置工序(S412)。

　　[0199]频率调动工序(S42)以及密封工序(S43)为与第二践诺方法所涉及的振子1000的修设法子一致的修设法子。如图19 (B)所示，本践诺方法所涉及的频率调动工序(S42)向封装件210中所收纳的振动片100的第一电极21的驱策电极21a映照激光L而对驱策电极21a的一部门举行蒸腾、去除，从而调动为所需的频率。

　　[0200]正在频率调动工序(S42)之后，迁徙至密封工序(S43)。如图19(C)所示，正在密封工序(S43)中，起首正在封装件210的第二凹部空间21 Ob的启齿部侧的具有框式样的平面式样的上端面210f上装载密封部件400，而且还正在密封部件400上装载盖体300。然后，正在被保护为真空情况或者惰性气体情况的未图示的打点室(腔室)内，通过缝焊等的接合法子而对盖体300与封装件210举行气密性接合而终结密封工序(S43)，从而获得振荡器1100。然后，迁徙至搜检工序(S50)。

　　[0202]正在征求装置工序(S41)、频率调动工序(S42)以及密封工序(S43)正在内的收纳工序(S40)之后，迁徙至搜检工序(S50)。正在搜检工序(S50)中，基于动作制品的振荡器1100的预订样式而践诺搜检。固然未图示，但搜检工序(S50)通过使搜检装备所具备的端子与外部衔接电极620a、620b接触而践诺预订的性能品格搜检，而且践诺通过肉眼或显微镜而举行的外观搜检等，从而践诺杰出与否的判定。

　　[0203]上述的第三践诺方法所涉及的振荡器1100的修设法子通过正在振动片晶片2020的状况下践诺强驱策工序(S20)而使附着正在振动片100上的异物的起码一部门振落，从而低落附着正在振动片100上的异物被带入封装件210内的恐怕性。是以，或许获得具备安靖的振动特色的振荡器1100。

　　[0204]其它，向来从此正在平淡情状下所践诺的封装件内对半导体装备(IC)与振动片举行密封之后践诺强驱策的振荡器的情状下，强驱策的大电力也朝向半导体装备活动，从而存正在半导体装备的损坏的恐怕性。可是，正在本践诺方法所涉及的振荡器1100的修设法子中，因为正在振动片100为部件的阶段践诺强驱策工序(S20)，是以强驱策十足不会影响到强驱策工序(S20)之后的收纳工序(S40)中被装置的IC700，从而或许获得安靖的品格的振荡器1100。此外，要是以与第一践诺方法的强驱策工序(S5-1)一致的前提践诺第三践诺方法的强驱策工序(S20)，则或许获得与第一践诺方法一致的效率。

　　[0205]其它，第二践诺方法所涉及的振子1000以录取三践诺方法所涉及的振荡器1100的修设法子以振动片晶片2020的方法而向第一振动片部2110施加用于强驱策的大电力(参照图15)。而且，因强驱策而发生的不足格振动片部2120F或许以图示的方法而正在部件状况下被检测出。

　　[0206]S卩，正在现有的工夫(比如，日本特开)所公然的、使振动片、或者振动片和IC芯片修设正在空腔内而使振动片举行强驱策的方法中，正在因强驱策而使振动片或IC芯片成为性能不良的情状下，不良吃亏除了振动片本钱除外，还征求封装件或者IC等的振动片以外的部件本钱和至此的加工功夫(加工本钱)，从而会成为较大的吃亏本钱，可是凭据上述修设法子或许避免这种情状。

　　[0207]上述的各践诺方法为一个示例而并不控制于此，并或许举行百般转变。比如，正在上述的各践诺方法中，动作基板的一个示例而应用了动作具有压电性的原料的水晶，可是并不控制于此，也能够应用硅半导体基板。正在动作基板而应用硅半导体基板的情状下，动作驱策单位也能够应用运用了库仑力的静电驱动。

　　[0208]本出现征求与践诺方法中所申明的构造本质上一致的构造(比如，性能、法子以及结果一致的构造、或者目标以及效率一致的构造)。其它，本出现征求对正在践诺方法中所申明的构造的非性质部门举行置换的构造。其它，本出现征求与正在践诺方法中所申明的构造起到一致的效率效率的构造或者或许告竣一致目标的构造。其它，本出现征求对正在践诺方法中所申明的构造上附加了公知工夫的构造。

　　1.一种振动开发的修设法子，征求: 将与振动片的应用时的驱动电力比拟而较高的电力施加于所述振动片，从而使所述振动片强驱策的工序； 正在使所述振动片强驱策的工序之后，践诺所述振动片的频率调动的工序。2.如权力央浼1所述的振动开发的修设法子，此中， 还征求振动片造成工序，所述振动片造成工序为，正在使所述振动片强驱策的工序之前，正在基板上造成所述振动片的工序。3.如权力央浼2所述的振动开发的修设法子，此中， 使所述振动片强驱策的工序征求，对所述振动片举行搜检的搜检工序。4.如权力央浼2所述的振动开发的修设法子，此中， 正在所述基板上造成有众个所述振动片。5.如权力央浼3所述的振动开发的修设法子，此中， 正在所述基板上造成有众个所述振动片。6.如权力央浼4所述的振动开发的修设法子，此中， 使所述振动片强驱策的工序针对被造成正在所述基板上的众个所述振动片而践诺。7.如权力央浼5所述的振动开发的修设法子，此中， 使所述振动片强驱策的工序针对被造成正在所述基板上的众个所述振动片而践诺。8.如权力央浼1所述的振动开发的修设法子，此中， 还征求接合工序，所述接合工序为，正在使所述振动片强驱策的工序之前，经由接合部件而对基座与所述振动片举行接合的工序。9.如权力央浼1所述的振动开发的修设法子，此中， 正在使所述振动片强驱策的工序中，向所述振动片施加2.5mW以上且10mW以下的电力。10.如权力央浼2所述的振动开发的修设法子，此中， 正在使所述振动片强驱策的工序中，向所述振动片施加2.5mW以上且10mW以下的电力。11.如权力央浼4所述的振动开发的修设法子，此中， 正在使所述振动片强驱策的工序中，向所述振动片施加2.5mW以上且10mW以下的电力。12.如权力央浼8所述的振动开发的修设法子，此中， 正在使所述振动片强驱策的工序中，向所述振动片施加2.5mW以上且10mW以下的电力。13.如权力央浼1所述的振动开发的修设法子，此中， 所述振动片征求水晶基板，所述水晶基板具有以厚度切变振动方法而举行振动的振动部。14.如权力央浼2所述的振动开发的修设法子，此中， 所述振动片征求水晶基板，所述水晶基板具有以厚度切变振动方法而举行振动的振动部。15.如权力央浼4的振动开发的修设法子，此中， 所述振动片征求水晶基板，所述水晶基板具有以厚度切变振动方法而举行振动的振动部。16.如权力央浼8所述的振动开发的修设法子，此中， 所述振动片征求水晶基板，所述水晶基板具有以厚度切变振动方法而举行振动的振动部。17.一种振动开发的修设法子，征求: 造成振动片的振动片造成工序； 经由接合部件而对基座与所述振动片举行接合的振动片接合工序； 经由接合部件而对所述基座与半导体装备举行接合的半导体装备接合工序， 还征求，正在所述半导体装备接合工序之前，将与所述振动片的应用时的驱动电力比拟而较高的电力施加于所述振动片的强驱策工序。

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